AOE6932

功能描述:MOSFET 2 N-CH 30V 55A/85A 8DFN

制造商:alpha & omega semiconductor inc.

系列:-

零件状态:在售

FET 类型:2 N 沟道(双)非对称型

FET 功能:标准

漏源电压(Vdss):30V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):55A (Tc), 85A (Tc)

不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):5 毫欧 @ 20A, 10V, 1.4 毫欧 @ 20A, 10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.2V @ 250μA,1.9V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值):15nC @ 4.5V, 50nC @ 4.5V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):1150pF @ 15V, 4180pF @ 15V

功率 - 最大值:24W, 52W

工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型:表面贴装

封装/外壳:8-VDFN 裸露焊盘

供应商器件封装:8-DFN(5x6)

标准包装:3,000

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